一种将纳米结构洁净转移至各种基底的通用快速方法

将纳米结构转移并集成到目标基底上是进行基础研究和实际应用的前提。传统的转移技术涉及 stamping、lift-off 和/或 striping，存在工艺特定的缺点，例如需要化学蚀刻剂或高温退火，以及引入表面不连续性和/或污染，这会极大地阻碍转移材料的性能和功能。在此，我们报告了一种可在温和条件下实施的通用快速转移方法。具有不同维度（即纳米颗粒、纳米线和纳米片）和表面性质（即亲水和疏水）的纳米结构可以方便地转移到包括亲水、疏水和柔性表面在内的多种基底上，且具有良好的保真度。重要的是，我们的方法确保了二维 (2D) 材料的快速洁净转移，并允许轻松制造用于电子器件的各种成分的垂直异质结构。我们相信，我们的方法可以通过加速低维材料向多维结构的洁净转移和集成，促进纳米电子学的发展。