使用掩模堆叠法快速制备洁净范德华纳米沟道
介观与纳米尺度物理
2025-11-25 v1
摘要
二维（2D）纳米沟道已成为探索纳米尺度流体力学和电动力学的关键平台。常规制备纳米沟道的方法常会引入聚合物污染且需要较长的加工时间，限制了器件性能和可扩展性。本文引入了掩模与堆叠法（Mask & Stack method），采用硅氮化物模板掩模结合干转移堆叠，快速在数小时内制备 ultraclean vdW 纳米沟道。该无聚合物方法保留了原始界面，经原子力显微镜和拉曼光谱确认，产生的纳米沟道器件表现出可重复的离子传输和长期稳定性。该简练工艺与多种 2D 材料兼容，具有上大规模生产的前景。我们的方法推进了纳米流体和 2D 异构结构器件的制造，促进了量子传输、光子学、能源收集和传感技术等需要高通量、无污染异构结构架构的应用。
引用
@article{arxiv.2511.18480,
title = {Rapid fabrication of clean van der Waals nanochannels using Mask and Stack method},
author = {Zhijia Zhang and Mohsen Moazzami Gudarzi and Jiatong Mao and Ziwei Wang and Zakhar Bedran and Chuhongxu Chen and Milad Nonahal and Ivan Timokhin and Artem Mishchenko and Qian Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.18480},
year = {2025}
}