Nb 和 TiN 薄膜的 SC-1 蚀刻
材料科学
2026-05-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
微电子制造中常见的干法蚀刻技术常常导致难以接受的附加等离子体诱导损伤。本文演示了一种用于掩膜化 Nb 和 TiN 薄膜的湿法蚀刻替代方案，采用标准清洁 1（SC-1）溶液。我们通过其时间演化动力学对蚀刻过程进行表征，借助扫描电子显微镜和原子力显微镜对蚀刻后薄膜形貌进行评估。结果表明，蚀刻动力学与天然氧化物和薄膜微结构有关。总体而言，可管理的蚀刻速率、安全的操作以及高材料选择性是该技术在微电子制造中具有实际应用价值的。
引用
@article{arxiv.2605.28343,
title = {SC-1 Etching of Niobium and Titanium Nitride Thin Films},
author = {Adrián Gutiérrez-Cruz and K. A. C. Rathnathilaka and Jani M. Taskinen and Tuomas Vaimala and Kestutis Grigoras and Harshad Mishra and Rishabh Upadhyay and Jorden Senior and Alberto Ronzani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.28343},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 4 pages of supplementary information