用于硅衬底硬掩模形成的湿法钪刻蚀
应用物理
2023-07-19 v3 材料科学
摘要
当今微电子与纳电子需要寻找新材料，包括用于制备结构的掩模。如今，中间硬掩模策略是在微电子制造中实现光刻与刻蚀良好平衡的关键问题之一。微电子与光伏领域中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上制备用于多功能半导体器件的、间隔垂直取向的硅阵列。此类结构的制备仍是一项严峻的工艺难题，需要探寻新方法与新材料。本工作中，我们提出使用钪作为硅上的新型硬掩模材料，因其对等离子化学刻蚀的高抗性与低溅射系数。我们已表明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法刻蚀可用于获得分辨率达 4 微米的图形结构，这对于湿法刻蚀方法而言是良好结果。在所选定等离子刻蚀条件下，钪金属被发现是硅上的优异抗蚀掩模。因此，钪硬掩模可为形成不同微尺度形貌图形开辟新可能。
引用
@article{arxiv.2110.13639,
title = {Wet Scandium Etching for hard mask formation on a silicon substrate},
author = {Julia Bondareva and Ekaterina Timofeeva and Alexandr Anikanov and Maxim Krasilnikov and Maxim Shibalov and Vasily Sen and Alexander Mumlyakov and Stanislav Evlashin and Mikhail Tarkhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.13639},
year = {2023}
}
备注
19 pages, 8 figures