用于集成自旋光电子器件的亚 10 nm 胶体光刻技术
介观与纳米尺度物理
2013-11-27 v2 材料科学
摘要
胶体光刻 [1] 是多种自然系统中图案复制的方式，并日益成为生物、光学和纳米技术中一种高效的制造工具。胶体中的纳米颗粒在给定材料表面形成掩模，随后可通过刻蚀转移到各种尺寸、形状和图案的纳米结构中 [2,3]。此类纳米结构可用于生物学中的蛋白质 [4] 和 DNA [5,6] 检测，用于光子学中的人工晶体 [7,8] 制备，以及自旋电子学中的 GHz 振荡器 [9-14]。将胶体图案化尺度缩小至 10 nm 及以下（该尺度与相关材料包括金属中的主要弛豫长度相当或更小），有望实现多种新型弹道输运和光子器件，例如自旋翻转太赫兹激光器 [15]。在本工作中，我们将胶体光刻技术扩展应用于制备大面积、近弹道注入的亚 10 nm 点接触阵列，并展示了其在自旋光电子器件中的集成。
引用
@article{arxiv.1207.7356,
title = {Sub-10 nm colloidal lithography for integrated spin-photo-electronic devices},
author = {A. Iovan and M. Fischer and R. Lo Conte and V. Korenivski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.7356},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 5 figures