集成电路中纳米尺度间隙的制备
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
纳米尺度的物体如金属簇构成了研究量子现象及构建实用量子器件的理想体系。然而将这些微小物体集成到宏观电路中仍然困难。迄今为止，纳米粒子均通过高度复杂的技术进行电接触和寻址，这些技术不适用于宏观电路的大规模集成。我们 presented了一种光刻方法，允许制造由电极构成的网络，这些电极之间间隙大小可控且为纳米尺度。主要思想是利用由分子束外延生长的结构，以亚纳米精度控制间隙大小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204304,
title = {Fabrication of Nano-Scale Gaps in Integrated Circuits},
author = {Roman Krahne and Tali Dadosh and Amir Yacoby and Hadas Shtrikman and Joseph Sperling and Israel Bar-Joseph},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204304},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures