通过直接光刻实现纳米间隙，用于高分辨率成像和纳米结构电子表征
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们报告了一种利用电子束光刻（EBL）直接制造纳米间隙的方法。通过使用薄膜作为基底，显著降低了 EBL 的主要分辨率限制——电子背散射。我们表明，这种分辨率提升使得可制造分离距离从任意大到小于 1 纳米的金属电极成为可能。此外，由于这些纳米间隙位于薄膜上，可用于高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）成像。利用这些纳米间隙，我们测量了多个耦合 PbSe 纳米晶中的电荷传输，并将数据与通过对同一器件进行 HRTEM 获取的详细结构信息进行相关性分析。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512128,
title = {Nanogaps by direct lithography for high-resolution imaging and electronic characterization of nanostructures},
author = {Michael D. Fischbein and Marija Drndic},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512128},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 3 figures