高压溅射法在硅上生长氧化钪的优化
材料科学
2024-01-31 v1 应用物理
摘要
本工作证明了通过高压溅射法在硅上沉积氧化钪的可行性。通过改变沉积压力和射频功率来优化薄膜及 ScOx-Si 界面的性质。物理表征通过椭偏仪、傅里叶变换红外光谱、X 射线衍射和透射电子显微镜进行。蒸镀铝栅电极用于制造金属-绝缘体-半导体 (MIS) 器件。根据 MIS 器件的电学表征，发现界面缺陷密度随沉积压力增加而降低，表明在较高压力下衬底表面的等离子体损伤减少。电容-电压迟滞曲线中较低的平带电压偏移也支持了这一点。根据红外光谱，高压（100 Pa 以上）溅射减少了界面 SiOx 的形成。生长速率随沉积压力增加而降低，因此可以实现对层厚度的非常精确的控制。
引用
@article{arxiv.2401.16489,
title = {Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon},
author = {Pedro Carlos Feijoo and María Ángela Pampillón and Enrique San Andrés and María Luisa Lucía},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16489},
year = {2024}
}
备注
27 pages, 13 figures