物理溅射沉积过程中铜的氧化：机制、规避与利用
材料科学
2017-07-31 v1
摘要
本文系统研究了在不引入 O2 气流的情况下，于高纯度、低气压 Ar 气氛中通过物理溅射沉积时 Cu 的氧化。研究发现，仅通过调整沉积参数即可获得各种柔性 Cu 基薄膜。电学与光学测试结果表明，所制备的纯 Cu 薄膜与 Cu+Cu2O 复合薄膜均呈现出金属与半导体特性的有趣组合。预期此类具有优异导电性与太阳能窗口带隙的 Cu 基薄膜在高电子迁移率晶体管、电极与太阳能电池等领域具有极具潜力的应用前景。此外，还探讨了不同沉积参数下 Cu 的氧化机制以及物理溅射沉积过程中的主要 O2 来源。
引用
@article{arxiv.1412.2031,
title = {Oxidation of copper during physical sputtering deposition: mechanism, avoidance and utilization},
author = {Jiangbin Su and Yang Liu and Meiping Jiang and Xianfang Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.2031},
year = {2017}
}
备注
21 pages, 6 figures, 3 tables