高压溅射用于高k介质沉积：是否值得尝试？

我们的研究小组研究了一种非标准方法——高压溅射——来沉积高介电常数介质。这里研究的介质包括由介质靶材沉积的钪酸钆，以及由金属靶材沉积并通过原位等离子体氧化的氧化钆。化学计量比的钪酸钆在退火后介电常数略有提升，但富钆的钪酸盐（通过对纳米叠层进行退火生长）则显示出21的高有效介电常数，且与硅的界面处没有明显的SiO2层。另一方面，使用金属钆靶材制造的叠层结构具有厚度小于0.7纳米的SiO2界面层，并且可以通过钛栅极的清除效应进一步减薄。事实上，这种清除效应也首次在磷化铟衬底上得到证实，获得了仅为2.1纳米的低电容等效厚度。