石墨烯上低损伤高通量掠角溅射沉积
介观与纳米尺度物理
2014-10-29 v2 材料科学
摘要
尽管溅射沉积在微电子工业中普遍存在，但在石墨烯电子学中的应用非常有限。在本快报中，我们系统研究了溅射引起的石墨烯损伤，并确定高能溅射气体中性粒子是石墨烯无序的主要原因。我们进一步展示了一种掠入射溅射配置，该配置强烈抑制了快速中性粒子轰击并保持了石墨烯结构完整性，产生的损伤远低于电子束蒸发。这种溅射技术可产生完全覆盖、光滑的薄介电薄膜，突显了其在石墨烯器件应用中用于接触金属、栅氧化物和隧道势垒制备的潜力。
引用
@article{arxiv.1303.3325,
title = {Low-Damage High-Throughput Grazing-Angle Sputter Deposition on Graphene},
author = {Ching-Tzu Chen and Emanuele A. Casu and Martin Gajek and Simone Raoux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3325},
year = {2014}
}