基于离子栅控质子化的贴合剂合成钯氢化物
材料科学
2025-03-25 v2 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
开发新的氢(H)装载协议对于进一步探索在较低压力下相较于最近发现的高温超导体更有前景。离子栅控质子化(IGP)已成为H装载的有前景技术,由于其内在的简单性,但当离子液体用作栅介质时,注入H的最大密度有限。此外,大多数离子液体受限于高生产成本、复杂的合成和潜在毒性。本文演示,通过使用深度呋糖溶剂(DES)琥珀氯化物-甘油1:3作为栅电解液,并施加超过阴极稳定极限的栅电压,成功注入高浓度的H到钯(Pd) Bulk箔和薄膜中(最高至化学计量 PdH)。获得的H浓度足以诱导Pd中的超导性,尽管电阻跃迁不完整,这表明H在Pd基质中的嵌入呈强烈的非均匀性。该DES基础的IGP协议可作为最大化不同材料中H装载的指南,尽管可能需要根据所研究的材料调整所施加电压剂量的具体细节。
引用
@article{arxiv.2410.15452,
title = {Facile synthesis of palladium hydride via ionic gate-driven protonation using a deep eutectic solvent},
author = {Gaia Gavello and Giorgio Tofani and Domenico De Fazio and Stefania Lettieri and Andrea Mezzetta and Lorenzo Guazzelli and Christian S. Pomelli and Renato S. Gonnelli and Erik Piatti and Dario Daghero},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.15452},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 5 figures