高压溅射沉积于硅上的镱氧化物生长优化
材料科学
2024-01-31 v1 应用物理
摘要
通过高压溅射（HPS）在硅上沉积了高k镱氧化物薄膜。为优化微电子应用中的性能，采用了不同的沉积条件。电子束蒸发沉积了Ti（ scavenger）和Pt（非反应性）材料，以制造金属-绝缘-半导体（MIS）器件。根据X射线衍射、X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱，成功获得了通过HPS制备的多晶体比例镱氧化物（Gd2O3）薄膜。采用较高压力沉积的MIS器件在C-V滞回曲线中呈现出较低的平坦带电压偏移。
引用
@article{arxiv.2401.16499,
title = {Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering},
author = {Pedro Carlos Feijoo and María Ángela Pampillón and Enrique San Andrés},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16499},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 10 figures