稀有稀土掺杂非晶硅薄膜中的过量模式与增强散射
无序系统与神经网络
2007-05-23 v2
摘要
我们报告了镱和钕掺杂非晶硅薄膜的比热和热导率，使用基于硅氮化物膜的微型热力学仪器进行测量。将镱或钕掺杂到非晶硅网络中，可在较宽的温度范围内降低热导率，同时显著增加比热。这一结果表明，振动光谱中添加了大量非传播态，可能由掺杂原子在硅笼内局部振动，或形成笼结构的材料软化所致。高分辨率横断面电子显微镜显示，镱掺杂材料中存在柱状结构特征，而在纯非晶硅中则未出现。来自这些纳米柱状结构和填满的笼结构的散射，对稀有稀土掺杂非晶半导体中热导率的降低发挥了作用。总体结果为非晶固体，呈现明显的峰，热导率无平台现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310463,
title = {Excess Modes and Enhanced Scattering in Rare-Earth Doped Amorphous Silicon Thin Films},
author = {B. L. Zink and R. Islam and David J. Smith and F. Hellman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310463},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 7 figures