原子级薄超导体中临界温度增强的起源
超导电性
2017-03-30 v1
摘要
最近的实验表明，将镓、硒化铁和 2H 二硫化钽减薄至单层或数个单原子层可提高其超导临界温度。在此，我们通过从这些超导体的自场临界电流中提取 London 穿透深度、超导能隙以及转变温度下比热的相对跃变的绝对值来对其进行表征。我们的核心发现是，这些材料转变温度的增强源于一个额外超导能隙的打开，同时体超导能隙基本保持不变。文献数据显示，超薄铌膜同样会出现第二个超导能隙。基于现有数据，对于第二类超导体，当薄膜厚度小于面外相干长度时，似乎会出现一个新的超导能带。相同的机制也可能是界面超导性增强的原因。
引用
@article{arxiv.1703.09850,
title = {On the origin of critical temperature enhancement in atomically-thin superconductors},
author = {Evgeny Talantsev and Wayne Crump and Joshua Island and Ying Xing and Yi Sun and Jian Wang and Jeffery Tallon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.09850},
year = {2017}
}
备注
43 pages, 12 figures