液栅薄铌膜中超导临界温度的电调制
介观与纳米尺度物理
2014-07-16 v1
摘要
我们证明了在液栅几何器件中，薄铌膜的超导临界温度（Tc）可以进行电调制。通过分别施加正和负栅压，Tc 可在约 0.1 K 的范围内以可逆方式被抑制和增强。在低于 Tc 的固定温度下，我们观察到超导临界电流可通过栅压进行调制。这一结果表明存在一种在液氦温度或以上运行的电控开关器件的可能性，其中超导态可仅通过施加栅压来开启或关闭。
引用
@article{arxiv.1407.4026,
title = {Electrical Modulation of Superconducting Critical Temperature in Liquid-Gated Thin Niobium Films},
author = {Jiman Choi and Pradheesh R. and Hyungsang Kim and Hyunsik Im and Yonuk Chong and Dong-Hun Chae},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4026},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 5 figures