用于从 4H-SiC 晶圆塑造整体式三维结构的电化学刻蚀策略
介观与纳米尺度物理
2024-02-14 v1 应用物理
摘要
碳化硅（SiC）是一种卓越的材料，不仅用于电子应用，也用于光子量子技术、纳米机械谐振器与片上光子学领域的预期功能。为从 SiC 晶圆塑造三维结构，主要使用干法刻蚀技术。SiC 对湿法刻蚀近乎惰性，偶尔采用光电化学刻蚀策略。此处，我们提出一种电化学刻蚀策略，其仅依赖于通过注入 p 型掺杂剂来定义可刻蚀体积。结合 n 型掺杂区的惰性，可实现极锐利的刻蚀对比度。我们展示了从单晶晶圆刻蚀出的各异器件，如整体式悬臂、盘形光学谐振器与薄膜。所得表面的高质量甚至可通过热处理进一步增强，形状稳定器件可达乃至超过 1550{\deg}C。我们方法的通用性为 SiC 作为高性能多功能晶圆平台的新功能铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2306.12311,
title = {Electrochemical etching strategy for shaping monolithic 3D structures from 4H-SiC wafers},
author = {André Hochreiter and Fabian Groß and Morris-Niklas Möller and Michael Krieger and Heiko B. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.12311},
year = {2024}
}
备注
13 pages