硅电阻率对其金属诱导化学刻蚀多孔化的影响
介观与纳米尺度物理
2016-09-01 v1 材料科学
摘要
本文基于扫描电子显微镜 (SEM) 的形貌研究，报道了由不同电阻率硅 (Si) 晶圆形成的多孔结构的对比。利用金属诱导刻蚀 (MIE) 技术，由两种具有不同电阻率的 Si 晶圆制备了多孔 Si 样品。观察发现，高电阻率 (1-20 cm) Si 晶圆经 MIE 处理后形成含有排列整齐的 Si 纳米线的多孔 Si，而低电阻率 (0.02 cm) Si 晶圆则形成相互连通的孔隙或奶酪状结构。基于初始掺杂水平，本文还提出了对不同多孔化过程的解释，其中掺杂剂数量似乎在刻蚀过程中起着重要作用。在所有多孔样品中均观察到了可见光致发光，这可能是由于量子限域效应所致。
引用
@article{arxiv.1408.4314,
title = {Effect of silicon resistivity on its porosification using metal induced chemical etching},
author = {Shailendra K Saxena and Gayatri Sahu and P. K. Sahoo and Pankaj R. Sagdeo and Rajesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.4314},
year = {2016}
}
备注
9 Pages, 5 Figures