硅的帐篷形表面形貌：金属诱导蚀刻织构化
介观与纳米尺度物理
2017-05-09 v1 化学物理
摘要
本文研究了依赖于纳米金属/半导体结的硅（Si）多孔化。使用 Ag 和 Au 金属纳米颗粒诱导化学蚀刻，在 n-- 和 p-- 型硅晶圆上制备了硅（Si）纳米结构（NS）织构。n--Si/Ag 和 p--Si/Au 组合形成欧姆接触，并导致在多孔化时 Si 表面相同的织构，其中在 n 和 p 型 Si 上一致观察到帐篷形形貌。而多孔化对其他两种组合（p--Si/Ag 和 n--Si/Au）导致不同的表面织构，其中形成肖特基接触。使用 ImageJ 处理 SiNS 的 SEM 图像进行了定量分析，证实当分别用 AgNPs 和 AuNPs 在 n 和 p 型硅晶圆上蚀刻时形成类帐篷 SiNS。这些易于制备的尖锐帐篷形 Si NS 可用于增强场发射应用。
引用
@article{arxiv.1705.02674,
title = {Tent--Shaped Surface Morphologies of Silicon: Texturization by Metal Induced Etching},
author = {Priyanka Yogi and Deepika Poonia and Suryakant Mishra and Shailendra K. Saxena and Swarup Roy and Pankaj R Sagdeo and Rajesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.02674},
year = {2017}
}
备注
10 Pages, 5 Figures