不同波长对多孔硅形成过程的影响
其他凝聚态物理
2017-02-20 v1
摘要
本工作通过光电化学刻蚀(PEC)工艺制备了多孔硅层(PS)，所用 n 型硅片电阻率为 0.8 ohm.cm，氢氟酸(HF)浓度 24.5% 浓度，刻蚀时间不同(5 至 25 min.)。使用钨灯以不同波长(450 nm、535 nm 和 700 nm)进行照射。利用光学显微镜和重量法研究了这些层的形态特性，如表面形貌、孔隙率、层厚度以及刻蚀速率。
引用
@article{arxiv.1702.05399,
title = {The Effect of Different Wavelengths on Porous Silicon Formation Process},
author = {Oday A. Al-Owaedi and Abbas H. Rahim and Adel H. Omran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05399},
year = {2017}
}