孔隙硅的形成与电抛光

含氟化物盐电解质中的硅电化学刻蚀导致低电流下的孔隙形成和高电流下的电抛光。孔隙形成与抛光之间的转变伴随着电化学溶解反应价值的变化。在半导体与电解质界面处的局部蚀刻速率由局部电流密度决定。我们对半导体和电解质中的反应物和反应产物的输运进行建模，从而确定电流密度。对界面处的化学反应基本特征概括为以质量作用定律形式的边界条件，用于输运方程的界面。我们研究了平坦平面界面的数值稳定性。随着电流密度的增加，稳定性通过改变溶解反应的价值或通过界面处非线性边界条件来翻转。