用于复杂氧化物集成的石墨和石墨烯上SrO缓冲层的分子束外延生长
材料科学
2016-06-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了通过分子束外延在高度有序热解石墨（HOPG）和单层石墨烯上成功生长高质量SrO薄膜。SrO层具有（001）取向，经X射线衍射（XRD）确认，而原子力显微镜测量显示连续无针孔薄膜，其均方根表面粗糙度为<1.5 {\AA}。在SrO沉积后，对剥离石墨烯的输运测量显示狄拉克点与Sr氧化之间存在强依赖性。随后，通过演示在SrO/HOPG叠层上生长（001）取向的SrTiO3，将SrO用作缓冲层以实现更复杂的氧化物集成。
引用
@article{arxiv.1511.06496,
title = {Molecular beam epitaxy growth of SrO buffer layers on graphite and graphene for the integration of complex oxides},
author = {Adam Ahmed and Hua Wen and Taisuke Ohta and Igor Pinchuk and Tiancong Zhu and Thomas Beechem and Roland Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.06496},
year = {2016}
}
备注
23 pages, 8 figures