Si(100)表面上Au吸附原子扩散的间接机制
材料科学
2022-05-18 v1 化学物理
摘要
对二聚体重构Si(100)-2x1表面上Au吸附原子扩散的计算揭示了一种有趣的机制，其与位于二聚体行之间的最优结合位点间的直接路径显著不同。相反，活跃的扩散机制涉及将吸附原子提升到二聚体行顶部的高能位点，随后沿该行快速迁移，在室温下访问约一百个位点，然后落回至最优结合位点。这种行顶机制在温度越低时越重要。计算通过以下方式完成：在PBEsol泛函近似下由密度泛函论获得的能量面上寻找最小能量路径，随后在200 K至900 K温度范围内进行动力学蒙特卡洛扩散模拟。直接扩散机制的活化能计算为0.84 eV，而间接机制的有效活化能平均值为0.56 eV。
引用
@article{arxiv.2203.02251,
title = {Indirect Mechanism of Au adatom Diffusion on the Si(100) Surface},
author = {Alejandro Peña-Torres and Abid Ali and Michail Stamatakis and Hannes Jónsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.02251},
year = {2022}
}