n掺杂III-V半导体中的自旋松弛与反对称交换
凝聚态物理
2016-08-31 v4
摘要
最近，K. Kavokin [Phys. Rev. B 64, 075305 (2001)] 提出，局域电子之间的德里亚oshinskii-Moriya相互作用主导了接近金属-绝缘体相转移条件下GaAs中n掺杂自旋松弛的缓慢过程。我们推导了正确的自旋哈密顿量，并应用矩展开法方法确定自旋相位时间。我们认为，提出的机制不足以解释观察到的自旋松弛时间值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209141,
title = {Spin relaxation and antisymmetric exchange in n-doped III-V semiconductor},
author = {L. P. Gor'kov and P. L. Krotkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209141},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 1 figures