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GaAs(001) 衬底上生长的 InAs 量子点的平衡形状

mtrl-th 2016-09-07 v1 材料科学

作者: Eckhard Pehlke , Nikolaj Moll , Matthias Scheffler

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摘要

推导了在 GaAs(001) 衬底上外延生长的应变 InAs 量子点的平衡形状作为体积的函数。在密度泛函理论内计算了 InAs 表面能，并对弹性弛豫能采用了连续介质方法。

关键词

InAs 量子点 GaAs(001) 平衡形状密度泛函理论表面能弹性弛豫外延

引用

@article{arxiv.mtrl-th/9607012,
  title  = {The equilibrium shape of InAs quantum dots grown on a GaAs(001) substrate},
  author = {Eckhard Pehlke and Nikolaj Moll and Matthias Scheffler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9607012},
  year   = {2016}
}

备注

4 pages, 1 figure, to appear in "The Physics of Semiconductors"