通过生长动力学的原子尺度建模理解 InAs 量子点的偏振特性
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
本文提出并分析了一种用于描述真实 InAs 量子点组分分布的模型，该模型由双区域方案构成，包含富 In 的内部核和贫 In 的外部壳，旨在模拟生长及 GaAs 覆盖生长过程中发生的 In-Ga 互混和 In 偏析等原子尺度现象。所提模型的参数是通过重现实验测量的偏振数据推导得出的。通过分析应变场进一步深化了理解，结果表明，与常用的均匀组分模型相比，双组分模型确实能产生更低的应变能。
引用
@article{arxiv.1307.7758,
title = {Understanding Polarization Properties of InAs Quantum Dots by Atomistic Modeling of Growth Dynamics},
author = {Vittorianna Tasco and Muhammad Usman and Maria Teresa Todaro and Milena De Giorgi and Adriana Passaseo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.7758},
year = {2015}
}
备注
in press, AIP proceedings for ICPS 2012 - 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, July 29-August 3, 2012 Zurich