通过原子探针层析成像和横截面扫描隧道显微镜对InAs量子点和浸润层进行成分分析
材料科学
2015-05-20 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究比较了横截面扫描隧道显微镜(XSTM)和原子探针层析成像(APT)。我们使用在GaAs中外延生长的自组装InAs量子点(QDs)作为示例材料，以比较这两种纳米结构分析技术。我们研究了浸润层和量子点的成分，并对每种方法测量的铟浓度分布进行了定量比较。我们表明，基于实验数据的浸润层和量子点的计算模型与两种分析方法一致。这建立了两种技术之间的联系，并显示了它们的互补行为，我们利用这一优势来突出所研究的量子点材料的独特特征。
引用
@article{arxiv.1010.5888,
title = {Composition profiling InAs quantum dots and wetting layers by atom probe tomography and cross-sectional scanning tunnelling microscopy},
author = {A. D. Giddings and J. G. Keizer and M. Hara and G. J. Hamhuis and H. Yuasa and H. Fukuzawa and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.5888},
year = {2015}
}
备注
Main article: 8 pages, 6 figures. Appendix: 3 pages, 5 figures