InAs/GaAs(001) 亚单层量子点的截面扫描隧道显微镜研究
应用物理
2020-11-11 v1 材料科学
摘要
采用截面扫描隧道显微镜（X-STM）对在存在 (2X4) 和 c(4X4) 表面重构条件下、生长于 Si 掺杂 GaAs(001) 衬底上的 InAs 亚单层量子点（SMLQDs）进行了表征。在不同条件下生长了多层结构，以研究其对 SMLQDs 的形成、形貌和局部组分的影响。通过满态和空态成像观察了 SMLQDs 的形貌与组分变化。通过用标准偏析模型拟合局部铟浓度分布，描述了对 SMLQDs 层中铟偏析的详细分析。观察并报道了砷通量对 SMLQDs 形成和铟掺入的强烈影响。我们研究了形成 SMLQDs 的 InGaAs 量子阱（QW）的阱宽涨落。与所有层中更为显著的组分涨落相比，阱宽的单层涨落可以忽略不计。
引用
@article{arxiv.2008.11711,
title = {Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots},
author = {R. S. R. Gajjela and A. L. Hendriks and A. Alzeidan and T. F. Cantalice and A. A. Quivy and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11711},
year = {2020}
}