亚单层InGaAs/GaAs量子点载流子动力学
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过微光致发光(MPL)、选择激发光致发光(SEPL)和时域光致发光(TRPL)等技术,研究了亚单层(SML)InGaAs/GaAs量子点(QD)的载流子动力学.MPL和SEPL显示出局域态与非局域态的共存,以及不同的局域声子模式.TRPL结果表明,In含量最高、发射能最低的最小SML量子点,由于呈完美垂直相关的二维InAs岛屿形成,其复合寿命最短、捕获时间最长.轻微偏离完美垂直相关会导致更大的量子点形成,其In含量较低、发射能较高.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602197,
title = {Carrier Dynamics in Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots},
author = {Zhangcheng Xu and Yating Zhang and J{$1}rn M. Hvam and Jingjun Xu and Xiaoshuang Chen and Wei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602197},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 5 figures