硅及其纳米结构中的压阻效应

压阻效应是指固体在施加机械应力时电阻（更具体地说是电阻率）发生的变化。在硅等块体晶体材料中，这种效应的起源主要是电子结构的变化，导致载流子有效质量的改变。近年来，人们对半导体纳米结构的压阻特性兴趣日益浓厚，这在很大程度上源于关于硅纳米线中存在巨压阻效应的声称，该效应比已知的块体效应大两个数量级以上。本综述旨在通过总结过去 10 年的主要工作，呈现关于硅纳米结构中巨压阻效应声称与反声称的争议。从文献中得出的主要结论是：i) 无栅极硅纳米线中存在巨压阻效应的可重复证据有限；ii) 在有栅极纳米线中，巨效应已被多位作者复现；iii) 巨效应在根本上不同于块体硅压阻效应或积累层及异质结构中量子 confinement 引起的效应，证据指向压阻效应的静电起源；iv) 释放的纳米线往往比未释放的纳米线具有稍大的压阻系数；v) 对自下而上生长的纳米线进行的研究尚不充分，无法排除其与自上而下制造的纳米线在性质上存在根本差异。在此基础上，提出了未来可能的研究方向。