自上而下制备金纳米电阻中的频率依赖压阻效应

压阻应变计可实现高保真机械形变电子读出。随着压阻应变计为纳米技术应用而被激进微缩,研究其在不同极限下的物理特性已至关重要。此处,我们描述一种实验方法,用于研究金薄膜纳米电阻的压阻灵敏系数随频率的变化。该纳米电阻经光刻制备于纳米机械双端固支梁谐振器的锚点附近。当谐振器以其某一正态模态被驱动至共振时,纳米电阻在$4-36~\rm MHz$范围内承受{$\varepsilon \lesssim 10^{-5}$}的频率依赖应变。我们利用光学干涉法标定应变,并采用射频混频下变频技术测量电阻变化。我们的光刻金纳米电阻的压阻灵敏系数$\gamma$在4 MHz时为$\gamma \approx 3.6$,与既往可比宏观金属薄膜电阻一致。然而,我们的$\gamma$值随频率单调上升,在36 MHz达到$\gamma \approx 15$。我们探讨了可能导致此意外频率依赖性的物理机制。