π 共轭半导体薄膜器件中的大磁阻效应
材料科学
2016-08-16 v1
摘要
在最近发现的聚氟烯夹层器件中在室温下观察到大磁阻效应后，我们对由不同 π 共轭聚合物和小分子制成的有机半导体夹层器件进行了全面的磁阻研究。测量在温度从 10K 到 300K、磁场 的条件下进行。我们观察到取决于材料和器件运行条件的大负磁阻或正磁阻（在 300K 和 10mT 时可达 10%）。我们将来自不同材料制造的器件结果进行比较，以提供实验数据的综合图景。我们在已知磁阻机制的框架内讨论结果，发现现有模型无法解释我们的观察结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504738,
title = {Large magnetoresistance in $\pi$-conjugated semiconductor thin film devices},
author = {Ö. Mermer and G. Veeraraghavan and T. L. Francis and Y. Sheng and D. T. Nguyen and M. Wohlgenannt and A. Köhler and M. K. Al-Suti and M. S. Khan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504738},
year = {2016}
}