准二维团簇玻璃半导体中的巨磁阻效应
材料科学
2025-02-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
随着自旋电子学研究的兴起，在准二维层状磁性材料中操控和探测巨磁阻效应已成为一个关键焦点，这得益于其相对于巨磁阻效应和隧穿磁阻效应较为稀缺的出现频率。本研究通过Te掺杂引入磁阻挫，在准二维反铁磁体Cr2Se3基质中实现了所需的巨磁阻效应。所得Cr0.98SeTe0.27表现出团簇玻璃样行为，冻结温度为28 K。磁输运研究揭示了高达32%的显著负磁阻。此外，角度依赖的输运测量表明了从正电阻各向异性到负电阻各向异性的磁场诱导转变，暗示了该窄带隙半导体中电子结构的磁场驱动改变，这是巨磁阻效应的特征表现。该行为还通过密度泛函理论计算得到了进一步验证。这一系统研究为通过竞争性交换相互作用控制准二维材料中的巨磁阻效应提供了关键理解。
引用
@article{arxiv.2502.18732,
title = {Colossal magnetoresistance in a quasi-two-dimensional cluster glass semiconductor},
author = {Suman Kalyan Pradhan and Weiqi Liu and Jicheng Wang and Yongli Yu and Wenxing Chen and Jinbo Yang and Yanglong Hou and Rui Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.18732},
year = {2025}
}