Cr$_2$X$_2$Te$_6$（X = Si 和 Ge）中的各向异性磁熵变
强关联电子
2019-01-10 v1
摘要
本征二维（2D）铁磁半导体是自旋电子学应用中的一类重要材料。CrXTe（X = Si 和 Ge）半导体表现出二维伊辛类铁磁性，该铁磁性在少层器件中得以保持。在面外场变化为 5 T 时，CrSiTe 铁磁转变附近临界性质相关的最大磁熵变 5.05 J kg K，远大于 CrGeTe 的 2.64 J kg K。两种材料的重标度 曲线均塌缩为与温度和场无关的普适曲线。这表明二者具有相似的临界行为和二维伊辛磁性，证实了磁晶各向异性可在 CrXTe 少层中维持长程铁磁性。
引用
@article{arxiv.1901.02876,
title = {Anisotropic magnetic entropy change in Cr$_2$X$_2$Te$_6$ (X = Si and Ge)},
author = {Yu Liu and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.02876},
year = {2019}
}