中文

铁磁半导体 CrSbSe$_3$ 的各向异性磁性质

材料科学 2018-01-24 v1

摘要

采用高温溶液生长技术生长了结构准一维铁磁半导体 CrSbSe3_3 的单晶,并通过 X 射线衍射、各向异性、温度与场依赖的磁化、温度依赖的电阻率和光学吸收测量进行了表征。由电阻率和光学测量共同确定其带隙为 0.7 eV。在高温下,CrSbSe3_3 为顺磁性且各向同性,居里-外斯温度为 \sim145 K,有效磁矩为 \sim4.1 μB\mu_B/Cr。铁磁转变发生于 TcT_c = 71 K。垂直于结构中链方向的 aa 轴为磁易轴,而沿 bb 的链轴方向为硬轴。在 TcT_c 附近测量的磁等温线不遵循简单平均场临界指数对二级相变的预测行为。基于修正的 Arrott 图分析估算了一组暂定临界指数,给出 β\beta\sim0.25、γ\gamma\sim1.38 和 δ\delta\sim6.6。

关键词

引用

@article{arxiv.1711.06342,
  title  = {Anisotropic magnetic properties of the ferromagnetic semiconductor CrSbSe$_3$},
  author = {Tai Kong and Karoline Stolze and Ni Danrui and Satya K. Kushwaha and Robert J. Cava},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1711.06342},
  year   = {2018}
}

备注

6 pages, 7 figures