二维本征铁磁半导体 CrI3 的临界行为
材料科学
2018-03-14 v1
摘要
CrI3 属于稀有的二维（2D）铁磁半导体类别，对自旋电子器件应用具有极大兴趣。与磁性呈现 2D-海森堡行为的 CrCl3 不同，CrI3 表现出更大的范德瓦耳斯间隙、更小的解理能和更强的磁各向异性，这可能导致 3D 磁特性。因此，我们研究了 CrI3 在磁相变附近的临界行为。我们使用修正的 Arrott 图与 Kouvel-Fisher 方法，并进行临界等温分析以估算铁磁相变附近的临界指数。这表明 CrI3 的磁性遵循具有平均场型相互作用的 3D-伊辛模型的跨接行为，其中在居里温度 64 K 下临界指数 \b{eta}、{\gamma} 和 {\delta} 分别为 0.323、0.835 和 3.585。我们提出该跨接行为可归因于强单轴各向异性和不可避免层间耦合。我们的实验证明了跨接行为对二维铁磁半导体的适用性。
引用
@article{arxiv.1801.09878,
title = {Critical behavior of two-dimensional intrinsically ferromagnetic semiconductor CrI3},
author = {G. T. Lin and X. Luo and F. C. Chen and J. Yan and J. J. Gao and Y. Sun and W. Tong and P. Tong and W. J. Lu and Z. G. Sheng and W. H. Song and X. B. Zhu and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09878},
year = {2018}
}
备注
Accepted by Appl. Phys. Lett