二维本征铁磁半导体 CrGeTe3 的三临界行为
强关联电子
2017-08-02 v1 材料科学
摘要
CrGeTe3 最近作为一种新型二维（2D）铁磁半导体出现，在自旋电子器件应用方面极具前景。与磁性可以用 2D-Ising 模型理解的 CrSiTe3 不同，CrGeTe3 表现出更小的 van der Waals 间隙和更大的解理能，这可能导致磁性机制从 2D 到 3D 的转变。为了证实这一推测，我们研究了 CrGeTe3 在二阶顺磁-铁磁相变附近的临界行为。我们获得了通过几种常用实验技术估计的临界指数，包括修正的 Arrott 图、Kouvel-Fisher 方法和临界等温线分析，这些结果表明 CrGeTe3 的磁性遵循三临界平均场模型，在 Curie 温度为 67.9 K 时，其临界指数 、 和 分别为 0.240、1.000 和 5.070。因此我们建议，CrGeTe3 从 2D 到 3D 的磁性相变应位于三临界点附近。我们的实验直接证明了三临界平均场模型对二维铁磁半导体的适用性。
引用
@article{arxiv.1706.03239,
title = {Tricritical behavior of two-dimensional intrinsic ferromagnetic semiconducting CrGeTe3},
author = {G. T. Lin and H. L. Zhuang and X. Luo and B. J. Liu and F. C. Chen and J. Yan and Y. Sun and J. Zhou and W. J. Lu and P. Tong and Z. G. Sheng and Z. Qu and W. H. Song and X. B. Zhu and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03239},
year = {2017}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. B