单层 2H-FeCl2 中的本征谷极化与反常谷霍尔效应
材料科学
2020-03-11 v1
摘要
谷作为电子的新自由度，因其在信息编码与存储方面的重大潜力而备受关注。解除能量简并以实现谷极化是 realization 谷电子器件所必需的。在此，基于第一性原理计算，我们表明单层 FeCl2 由于时间反演对称破缺和自旋轨道耦合而表现出大的自发谷极化（约 101 meV），该极化可通过改变磁晶方向连续调控。借助微扰理论，揭示了其 underlying 物理机制。此外，在面内电场存在下，谷自由度与铁磁序的耦合可产生自旋和谷极化的反常霍尔电流，这有助于其实验探索与实际应用。
引用
@article{arxiv.2003.04561,
title = {Intrinsic Valley Polarization and Anomalous Valley Hall Effect in Single-Layer 2H-FeCl2},
author = {Pei Zhaos and Yandong Ma and Hao Wang and Baibiao Huang and Liangzhi Kou and Ying Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.04561},
year = {2020}
}