电势差反磁性 $\mathrm{Cr_2CHCl}$ 单层材料中的异常谷哈尔效应

反磁性（AFM）谷亚轨道电子学在器件应用中具有更高的能源效率和更快的运行速度。一般情况下，缺乏自发自旋分裂会阻碍异常谷哈尔效应（AVHE）的实现和检测。本文提出在电势差反磁性 $\mathrm{Cr_2CHCl}$ 单层材料中实现 AVHE，具有优异的稳定性，其中可由于由垂直内置电场引起的层间电势差而诱导自发自旋分裂。从对称性角度看，引入 Janus 结构会破坏空间反演（$P$）和时间反演（$T$）的组合对称性（$PT$ 对称性），从而导致自旋分裂。无论是未受应力还是受应力的 $\mathrm{Cr_2CHCl}$ 单层材料，都具有超过 51 meV 的谷分裂，这高于室温热能（25 meV）。层锁定的 Berry 曲率导致层锁定的 AVHE。我们的工作揭示了在具有自发自旋分裂的 AFM 单层材料中实现 AVHE 的途径。