A型六角反铁磁单层中电场调制的反常谷霍尔效应

反铁磁（AFM）自旋电子学与反常谷霍尔效应（AVHE）的结合对于谷电子学的潜在应用具有重要意义。在此，我们提出了一种在 A 型六角 AFM 单层中实现 AVHE 的设计原理。该设计原理涉及引入由面外外加电场引起的层相关静电势，这可以破坏空间反演（$P$）和时间反演（$T$）的联合对称性（$PT$ 对称性），从而产生自旋劈裂。自旋劈裂的自旋序可以通过调节电场方向来反转。基于第一性原理计算，该设计原理可以在 AFM $\mathrm{Cr_2CH_2}$ 中得到验证。层锁定的隐藏 Berry 曲率可以产生层霍尔效应，包括谷层自旋霍尔效应和层锁定 AVHE。我们的工作为在 AFM 单层中实现 AVHE 提供了一种实验上可行的途径。