反铁磁单层中的反常谷霍尔效应
材料科学
2021-07-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
反常谷霍尔（AVH）效应是凝聚态物理领域一种基本的输运现象。通常，对AVH效应的研究主要集中于具有铁磁序的二维晶格。本文通过模型分析，提出了在反铁磁单层中实现AVH效应的一般性设计原理，其涉及引入非平衡势以打破PT对称性。利用第一性原理计算，我们进一步通过将反铁磁单层MnPSe3堆叠在铁电单层Sc2CO2上证明了该设计原理，并实现了AVH效应。该AVH效应可通过调控堆叠模式得到良好控制。此外，借助电场反转Sc2CO2的铁电极化，可轻易地将MnPSe3单层中的AVH效应开启或关闭。其 underlying 物理机制被详细揭示。我们的发现为探索AVH效应开辟了新研究方向。
引用
@article{arxiv.2107.11923,
title = {Anomalous valley Hall effect in antiferromagnetic monolayers},
author = {Wenhui Du and Rui Peng and Zhonglin He and Ying Dai and Baibiao Huang and Yandong Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.11923},
year = {2021}
}