通过多层压应力异质结构实现可逆且非易失的异常山德尔效应的解锁
材料科学
2025-08-20 v1
摘要
实现对异常山德尔效应（AVH）的外部控制是推动山德尔电子学应用的关键。然而，许多现有方法存在不可逆性或易失性局限。本文提出了一种通用策略，通过利用多层压应力异质结构实现AVH效应的非易失电气调控。采用第一性原理密度泛函理论计算，我们展示了由单层磁性 VSSe 层和单层铁电性 AlS 层组成的异质结构可实现谷输运性质的精细调控。通过对 AlS 施加电场可反转其极化状态，从而实现 VSSe 中 AVH 响应的可逆且非易失开关。这种铁电机制确保即使在无持续能源输入下谷态也能保持稳定。此外，通过相同的极化切换过程，谷极化也可被反转，这为对谷依赖现象提供了双重控制程度。这些发现为构建内在可切换且高效能的山德尔电子器件铺就了可前景。
引用
@article{arxiv.2508.13614,
title = {Unlocking reversible and nonvolatile anomalous valley Hall control through multiferroic van der Waals heterostructures},
author = {Ankita Phutela and Saswata Bhattacharya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.13614},
year = {2025}
}