谷电子学范德华双层中的层极化反常霍尔效应
材料科学
2022-06-24 v1
摘要
层极化反常霍尔效应（LP-AHE）源于贝里曲率与层自由度的耦合，对基础物理与器件应用均具有重要意义。然而，当前的研究范式根植于拓扑体系，使得该现象相当罕见。本文通过模型分析，提出一种另类但普适的机制，借助层间滑移在谷电子学范德华双层中实现 LP-AHE。面外铁电性与 A 型反铁磁性的相互作用导致了层锁定的贝里曲率，从而在双层体系中产生长期寻求的 LP-AHE。LP-AHE 可与滑移铁电性强烈耦合，从而实现铁电可控且可逆。该机制在一系列真实谷电子材料中被证实，包括双层 VSi2P4、VSi2N4、FeCl2、RuBr2 与 VClBr。这一新机制与新现象为实现 LP-AHE 并探索其在电子学中的应用提供了重要新方向。
引用
@article{arxiv.2206.11504,
title = {Layer-Polarized Anomalous Hall Effect in Valleytronic van der Waals Bilayers},
author = {Ting Zhang and Xilong Xu and Baibiao Huang and Ying Dai and Liangzhi Kou and Yandong Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.11504},
year = {2022}
}