反铁磁绝缘体中由隐藏Berry曲率诱导的层霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2022-08-23 v2
摘要
层霍尔效应描述电子在不同层被自发偏转至相反两侧，其已在垂直电场下MnBiTe薄膜中被实验报道[Gao et al., Nature 595, 521 (2021)]。在此，我们从所谓隐藏Berry曲率的角度揭示了层霍尔效应的普遍起源，并给出了材料设计原则。因此，它在动量空间中给出零Berry曲率，但在实空间中给出非零的层锁定隐藏Berry曲率。我们表明，与平庸绝缘体相比，层霍尔效应在反铁磁拓扑绝缘体中显著增强。我们的普遍图像为揭示由全局与局域对称性相互作用导致的隐藏物理提供了范式，并可推广至多种情形。
引用
@article{arxiv.2206.10905,
title = {Layer Hall effect induced by hidden Berry curvature in antiferromagnetic insulators},
author = {Rui Chen and Hai-Peng Sun and Mingqiang Gu and Chun-Bo Hua and Qihang Liu and Hai-Zhou Lu and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10905},
year = {2022}
}