Kane-Mele 二维拓扑绝缘体中涌现的非线性霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2021-12-01 v2
摘要
近期在时反对称保护系统以及三维拓扑绝缘体表面，由于面内磁场而在二维过渡金属硫族化物与 Weyl 半金属中观测到的非线性霍尔效应，引发了广泛的实验与理论研究。此类二阶效应的起源被归因于 Berry 曲率偶极子的出现，其要求低对称性环境。在此，我们提出一种在 Kane-Mele 二维拓扑绝缘体中产生此类二阶非线性霍尔效应的机制，该机制源于在 Zeeman 与 Rashba 耦合存在下空间与时反对称性的破缺。通过外电磁场主动调控能隙，我们还证明了非线性霍尔效应呈现出所考虑二维系统中存在的拓扑相变的显著特征。
引用
@article{arxiv.2108.07860,
title = {Emerging nonlinear Hall effect in Kane-Mele two-dimensional topological insulators},
author = {Rajesh K. Malla and Avadh Saxena and Wilton J. M. Kort-Kamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07860},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 6 figures