二维多铁反铁磁体中的门控可控四层电子学
材料科学
2024-11-12 v1 计算物理
摘要
表现出层霍尔效应的layertronics通常被认为本质上具有二元物理特性。我们利用对称性论证和低能kp模型表明，layertronics中的层物理可以被工程化为四元模式，从而产生了四层电子学（quadri-layertronics）的概念。该机制与反铁磁多铁四层中的面外铁电性和能谷物理之间的相互作用相关联，这使得层锁定的贝里曲率和霍尔效应成为可能，即使具有四种不同层物理特性的载流子向特定方向偏转。更重要的是，四层电子学可以通过控制栅压下的层间偶极排列来产生和操纵，从而允许在特定层中选择性诱导和检测层霍尔效应。我们进一步利用第一性原理计算，在多铁反铁磁四层OsCl₂中展示了四层电子学的栅控。这些探索的现象和见解极大地丰富了layertronics领域的研究。
引用
@article{arxiv.2411.07016,
title = {Gate-Controllable Quadri-Layertronics in 2D Multiferroic Antiferromagnet},
author = {Ting Zhang and Mingsheng Wang and Xilong Xu and Ying Dai and Yandong Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.07016},
year = {2024}
}