通过门控二维反铁磁体实现贝里曲率调控
材料科学
2020-05-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近来在调控二维（2D）磁体的电子、磁性和拓扑性质方面的进展，为量子物理研究开辟了新前沿，并为未来量子技术带来了令人振奋的可能性。在本研究中，我们发现双栅技术可以很好地调控反铁磁（AFM）甚至七层（SL）MnBiTe 薄膜的电子与拓扑性质。在打破 对称性的面外电场下，薄膜的贝里曲率可被高效调控，导致反常霍尔（AH）信号的巨大变化。超过临界电场后，双层 SL MnBiTe 薄膜成为陈数为 3 的高陈数陈绝缘体。我们进一步证明，这种 2D 材料可通过电场控制 AH 信号用作 AFM 开关。这些发现启发了面向未来 AFM 自旋电子学应用的低功耗存储器原型设计。
引用
@article{arxiv.1909.01194,
title = {Berry Curvature Engineering by Gating Two-Dimensional Antiferromagnets},
author = {Shiqiao Du and Peizhe Tang and Jiaheng Li and Zuzhang Lin and Yong Xu and Wenhui Duan and Angel Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.01194},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 4 figures