二维 A 型四方反铁磁绝缘体中的层锁定反常谷霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2023-11-22 v1 材料科学
摘要
反铁磁（AFM）自旋电子学为高能效和超快器件应用提供了一条途径。因此在 AFM 单层中实现反常谷霍尔效应（AVHE）对基础凝聚态物理和器件工程都颇具意义。在此我们提出一种在 A 型 AFM 绝缘体中实现 AVHE 的途径，该绝缘体由垂直堆叠的单层量子反常霍尔绝缘体（QAHI）构成，并受应变和电场调制。单轴应变和电场分别产生谷极化和自旋分裂。利用第一性原理计算，预测 单层是一种原型 A 型 AFM，其承载谷极化量子自旋霍尔绝缘体（VQSHI），其中 AVHE 与量子自旋霍尔效应（QSHE）协同于单一系统中。我们的发现揭示了在二维四方 AFM 单层中实现多重霍尔效应的途径。
引用
@article{arxiv.2311.12441,
title = {Layer-Locked Anomalous Valley Hall Effect in Two-Dimensional A-Type Tetragonal Antiferromagnetic Insulator},
author = {San-Dong Guo and Wei Xu and Yang Xue and Gangqiang Zhu and Yee Sin Ang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.12441},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 6 figures