在 MnBi$_2$Te$_4$ 中掺 V 以实现鲁棒铁磁耦合与量子反常霍尔效应
强关联电子
2021-02-17 v2 材料科学
摘要
二维磁性拓扑绝缘体 MnBiTe 中本征的反铁磁(AFM)层间耦合对实现稳定的量子反常霍尔效应(QAHE)构成了限制 [Y. Deng et al., Science 367, 895 (2020)]。通过密度泛函理论计算,我们展示了通过用 Mn 合金化约 50% 的 V 来将 MnBiTe 薄膜中的 AFM 耦合调控为铁磁耦合的可能性。因此,无需以偶数或奇数七层交替即可实现 QAHE。这为在超薄 MnBiTe 薄膜中获得鲁棒 QAHE 提供了实用策略,使其在技术革新中具有吸引力。
引用
@article{arxiv.2004.04862,
title = {Alloying V in MnBi$_2$Te$_4$ for Robust Ferromagnetic Coupling and Quantum Anomalous Hall Effect},
author = {Y. S. Hou and R. Q. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.04862},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 4 figures and 1 table, and author lists in references updated