等价位合金化辅助的六角反铁磁单层中的反常谷霍尔效应

探索反铁磁（AFM）自旋电子学与反常谷霍尔效应（AVHE）的结合是谷电子学应用中最重要的问题之一。解决这个问题的关键是在 AFM 系统中实现谷周围的能带分裂。在这里，我们提出了一种在六角形 AFM 单层中实现 AVHE 的可能方法，该方法涉及等价位合金化。这可以打破空间反演（$P$）和时间反演（$T$）的组合对称性（$PT$ 对称性），从而产生自旋分裂。更具体地说，费米能级附近的大自旋分裂归因于这些不同过渡金属离子之间的 $d$ 轨道失配。基于第一性原理计算，所提出的方法可以在面外 AFM $\mathrm{CrMoC_2S_6}$ 单层中得到验证，该单层具有自发谷极化和自旋分裂，为实现 AVHE 提供了可能性。还证明拉伸应变可以增强谷分裂并保持面外 AFM 有序。我们的工作为开发 AFM 谷电子器件提供了一种实验上可行的方法。